Используемые технологические процессы
Si и SiGe БиКМОП
  • SiGe ГБТ fT до 80 ГГц, UКЭ0 > 2,4 В; КМОП: UT = ±0,5 В, L = 0,25 мкм
  • SiGe БТ fT до 155 ГГц, UКЭ0 > 2,2 В; КМОП: UП = 3,5 В; 1,8 В, L = 0,18 мкм
  • Si БТ fT до 15 ГГц, UКЭ0 > 4,4 В; КМОП: UT = ±0,8 В, L = 0,6 мкм
  • КМОП: UT = ±0,85 В, L = 0,6 мкм; ДМОП: UСИ > 650 В; Si БТ UКЭ0 > 600 В
Общий перечень разработок СнК и СвК
Малопотребляющие приемники амплитудно и частотно модулированных сигналов с полосой пропускания до 3 ГГц для мобильных устройств
Программно-конфигурируемые приемники широкополосных сигналов до 6 ГГц
Программно-конфигурируемые передатчики широкополосных сигналов до 6 ГГц
Датчики скорости, расстояния (радары) диапазонов частот 24, 60, 77 ГГц
Приемопередатчики 24-28, 37-40, 57-66, 71-76, 81-86 ГГц диапазонов частот
Формирователь диаграммы направленности X-, Ku-, K/Ka- диапазонов частот

info@icvao.ru
+7 (495) 149-09-90
ООО "ИнноЦентр ВАО"
© Авторские права защищены 2021
Напишите Ваш запрос
Наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее время
Email
Компания
Ваше обращение