Примеры микросхем разработанных на основе Si и SiGe

SiGe квадратурный демодулятор
с полифазным фильтром

Монолитная интегральная схема квадратурного демодулятора на основе SiGe 0,25 мкм.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,4-6,0 ГГц;
🞄 P_1дБ = 5 дБм;
🞄 U_п = 4,7-5,3 В;
🞄 I_пок = 98 мА;
🞄 Высокая линейность по входу;
🞄 Высокая нагрузочная способность (R_н=200 Ом).

Si широкополосные малопотребляющие
делители частоты

Ряд широкополосных делителей частоты на 2 и 4 с малым потреблением тока на основе Si БиКМОП 0,6 мкм технологического процесса.

Основные характеристики:
🞄 ∆f_вх = 0,1-1,9 ГГц;
🞄 К_д = 2 / 4;
🞄 S_ϕ = -138 дБн/Гц;
🞄 P_вых = 0,5 мВт;
🞄 I_п = 10 мА (U_п = 3 В).

СВЧ логарифмический детектор до 30 ГГц

Микросхема логарифмического детектора последовательного детектирования на основе SiGe БиКМОП 0,25 мкм включающая в свой состав 6 усилителей-ограничителей с коэффициентом усиления 8,0 дБ.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 5,5-30,0 ГГц;
🞄 D ≥ 50 дБ;
🞄 Р_вх.мин = - 42 дБ;
🞄 t_ф/t_сп = 25/15 нс;
🞄 U_п@I_пок = +5 В @100 мА;
🞄 Выход R_н = 50 Ом.

Малопотребляющий SiGe широкополосный СВЧ усилитель

Монолитная интегральная схема широкополосного малопотребляющего усилителя на основе SiGe БиКМОП технологического процесса 0,25 мкм с функцией отключения.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,1-3,2 ГГц;
🞄 К_у = 23 дБ;
🞄 Р_вых = 0,18 мВт;
🞄 К_Ш = 2,2 дБ;
🞄 U_п@I_пок = 3,3 В @6 мА.

SiGe квадратурный модулятор
с полифазным фильтром

Монолитная интегральная схема квадратурного модулятора на основе SiGe 0,25 мкм.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,4-6,0 ГГц
🞄 P_вых = - 2 дБм
🞄 U_п = 4,7-5,3 В.
🞄 I_пок =97 мА

SiGe квадратурный модулятор с полифазным фильтром с цифровой подстройкой уровня несущей

Монолитная интегральная схема квадратурного модулятора на основе SiGe 0,25 мкм.

Основные характеристики:
🞄 Δf =0,1-2,5 ГГц
🞄 P_вых = - 5 дБм
🞄 P_бок > 40 дБ
🞄 P_{нес.калб} < минус 65
🞄 U_п = 5 В / 3,3 В
🞄 I_п =139 / 6 мА

СВЧ логарифмический детектор до 5,5 ГГц

Микросхема логарифмического детектора последовательного детектирования на основе SiGe БиКМОП 0,25 мкм включающая в свой состав 8 усилителей-ограничителей с коэффициентом усиления 10 дБ. Микросхема обладает СВЧ выходами.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,01-5,5 ГГц
🞄 D ≥ 75 дБ
🞄 Р_вх.мин = - 65 дБ
🞄 t_ф/t_сп = 35/50 нс
🞄 U_п@I_пок =+5 В @32 мА
🞄 В_ыход R_н=50 Ом

СВЧ логарифмический детектор до 20 ГГц

Микросхема логарифмического детектора последовательного детектирования на основе SiGe БиКМОП 0,25 мкм включающая в свой состав 7 усилителей-ограничителей с коэффициентом усиления 9 дБ.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 1,5-20,0 ГГц
🞄 D ≥ 60 дБ
🞄 Р_вх.мин = - 50 дБ
🞄 t_ф/t_сп = 25/15 нс
🞄 U_п@I_пок =+5 В @85 мА
🞄 Выход R_н =50 Ом

СВЧ логарифмический детектор до 18 ГГц

Микросхема логарифмического детектора последовательного детектирования на основе SiGe БиКМОП 0,25 мкм включающая в свой состав 6 усилителей-ограничителей с коэффициентом усиления 11,0 дБ.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 1,2-18,0 ГГц
🞄 D ≥ 65 дБ
🞄 Р_вх.мин = - 57 дБ
🞄 tф/tсп = 5/5 нс
🞄 U_п@I_пок = +5 В @80 мА
🞄 Выход R_н = 50 Ом

Si широкополосный СВЧ усилитель

Монолитная интегральная схема широкополосного усилителя на основе Si комплементарного биполярного технологического процесса 0,6 мкм.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,01-3,5 ГГц
🞄 К_у = 21 дБ
🞄 Р_вых = 22 дБм
🞄 К_Ш < 2,7 дБ
🞄 U_п@I_пок= 5 В@ 100 мА

Si широкополосный СВЧ усилитель

Монолитная интегральная схема широкополосного усилителя на основе Si комплементарного биполярного технологического процесса 0,6 мкм.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,03-4,4 ГГц
🞄 К_у = 18,5 дБ
🞄 Р_вых = 18,1 дБм
🞄 К_Ш < 3,2 дБ
🞄 U_п@I_пок= 5 В@ 120 мА

SiGe широкополосный СВЧ усилитель

Монолитная интегральная схема широкополосного малопотребляющего усилителя на основе SiGe БиКМОП технологического процесса 0,25 мкм.

Основные характеристики:
🞄 Δf = 0,01-3,5 ГГц
🞄 К_у = 22,5 дБ
🞄 Р_вых = 0,18 мВт
🞄 К_Ш < 3,1 дБ
🞄 U_п@I_пок = 3,3 В @10 мА

SiGe дифференциальный усилитель с переключаемым коэффициентом усиления

Монолитная интегральная схема полностью дифференциального малошумящего усилителя на основе SiGe 0,25 мкм.

Основные характеристики:
🞄 f_в до 2,7 ГГц
🞄 К_у = 15 / 12 / 6 дБ
🞄 e_n = 2.5 нВ/√Гц
🞄 U_п = 3,0 - 3,6 В
🞄 I_пок = 36 мА
🞄 Регулировка постоянного уровня сигнала
🞄 Rail-to-rail выход

SiGe полностью дифференциальный двухканальный регулируемый усилитель с аналоговым управлением

Монолитная интегральная схема полностью дифференциального двухканального усилителя на основе Si 0,18 мкм.

Основные характеристики:
🞄 f_в до 0,1 ГГц
🞄 К_у.макс = 40 дБ
🞄 DК_у = 40 дБ
🞄 U_п = 3,15-3,5 В
🞄 Линейная в дБ регулировка усиления

SiGe регулируемый усилитель с аналоговым управлением

Монолитная интегральная схема регулируемого усилителя с аналоговым управлением на основе SiGe 0,25 мкм.

Основные характеристики:
🞄 f_в до 0,7 ГГц
🞄 К_у.макс = 28 дБ
🞄 DК_у = 30 дБ
🞄 U_п = 4,5 - 5,5 В
🞄 I_пок = 80 мА
🞄 Линейная в дБ регулировка усиления
🞄 Температурно-стабилизированная перестройка Ку

SiGe широкополосные делители частоты с фиксированным коэффициентом деления

Ряд МИС делителей частоты со фиксированным коэффициентом деления и дополнительным выводом отключения питания на основе SiGe БиКМОП 0,25 мкм технологического процесса.

Основные характеристики:
🞄 ∆f_вх = 0,15-20 ГГц
🞄 К_д = 2 / 4 / 8
🞄 S_ϕ = -147 /-147 / -154 дБн/Гц
🞄 P_вых = 1,3 / 1,9 / 2,0 мВт
🞄 I_пот = 34 / 47 / 60 мА (U_п = 5 В)

Si и SiGe широкополосные делители частоты с управляемым коэффициентом деления

Ряд широкополосных делителей частоты с управляемым коэффициентом деления на 2, 4, 8, 16 на основе схемы с каскадным включением блоков деления на 2.

Основные характеристики:
🞄 ∆f_вх = 0,18-3,1 / 0,18-10,2 / 0,15-17,0 ГГц
🞄 К_д = 2 / 4 / 8 / 16
🞄 P_вых = 2 мВт
🞄 S_ϕ = -146 / -148 / -146 дБ/Гц
🞄 I_п = 75 / 75 / 86 мА (U_п = +5 В)

Управляемые ФНЧ

Линейка монолитных интегральных схем управляемых фильтров низких частот на основе SiGe БиКМОП технологии с проектными нормами 0,25 мкм с последовательным и параллельным включением банка конденсаторов.

Основные характеристики:
🞄 f_ср= 1-30 МГц / 4-40 МГц / 1-50 МГц
🞄 α_з > 31 дБ
🞄 К_у = 0 дБ
🞄 N = 7 бит/ 5 бит

Si и SiGe широкополосные делители частоты с управляемым коэффициентом деления

Ряд широкополосных делителей частоты с управляемым коэффициентом деления на 2, 4, 8, 16 на основе схемы с каскадным включением блоков деления на 2.

Основные характеристики:
🞄 ∆f_вх = 0,18-3,1 / 0,18-10,2 / 0,15-17,0 ГГц
🞄 К_д = 2 / 4 / 8 / 16
🞄 P_вых = 2 мВт
🞄 S_ϕ = -146 / -148 / -146 дБ/Гц
🞄 I_п = 75 / 75 / 86 мА (U_п = +5 В)

Si широкополосные малопотребляющие
делители частоты

Ряд широкополосных делителей частоты на 2 и 4 с малым потреблением тока на основе Si БиКМОП 0,6 мкм технологического процесса.

Основные характеристики:
🞄 ∆f_вх = 0,1-1,9 ГГц
🞄 К_д = 2 / 4
🞄 S_ϕ = -138 дБн/Гц
🞄 P_вых = 0,5 мВт
🞄 I_п = 10 мА (U_п = 3 В)

Используемые технологические процессы

Общий перечень схем и IP-блоков на основе Si и SiGe

Широкополосные квадратурные модуляторы и демодуляторы до 90 ГГц
Цифровые фазовращатели L-, S-, С-, X-, Ku-диапазонов
Пассивные фильтры низких частот с цифровой перестройкой до 40 ГГц
Цифровые аттенюаторы до 40 ГГц
Активные фильтры низких частот с цифровой перестройкой до 3 ГГц
Цифровые переключатели до 40 ГГц
Регулируемые усилители с аналоговым управлением
до 14 ГГц
Регулируемые усилители с цифровым управлением до 14 ГГц
Детекторы среднеквадратической мощности до 30 ГГц
Малошумящие усилители до 90 ГГц
Дифференциальные операционные усилители до 3 ГГц
Широкополосные усилители до 50 ГГц
Генераторы, управляемые напряжением до 80 ГГц
Резонансные усилители до 90 ГГц
Смесители сигналов до 90 ГГц
Логарифмические детекторы до 50 ГГц
SPI интерфейсы с функцией троирования
Цифровые интерфейсы управления
Интегральные датчики температуры
Интегральные датчики мощности

info@icvao.ru
+7 (495) 149-09-90