Примеры микросхем разработанных на основе GaAs

GaAs СВЧ усилитель мощности С-диапазона

Монолитная интегральная схема трёхкаскадного усилителя мощности С-диапазона на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм с интегральным датчиком температуры
и детектором мощности (непрерывный режим работы).

Основные характеристики:

Δf = 6,5-8,5 ГГц;
Р_вых1дБ = 0,1 Вт (10@100мкс);
К_у = 22 дБ (большой сигнал);
КПД = 27%;
U_п@I_пок = +8В.

GaAs СВЧ усилитель мощности X-диапазона

Монолитная интегральная схема трёхкаскадного усилителя мощности X-диапазона на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм с интегральным датчиком температуры и
детектором мощности
(непрерывный режим работы).

Основные характеристики:

Δf = 8,5-10,5 ГГц;
Р_вых1дБ = 0,1 Вт (10@100мкс);
К_у = 20 дБ (большой сигнал);
КПД = 23%;
U_п@I_пок = +8В.

GaAs усилители мм-го диапазона

Комплект двухкаскадных и трёхкаскадных усилителей мощности мм-го диапазона на основе GaAs pHEMT 0,15 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 27-31 ГГц;
Р_вых1дБ = 15/100 мВт;
К_у = 13/20 дБ
(большой сигнал);
К_ш = 5,5 дБ;
U_п@I_пок = +5В.

Широкополосные усилители с низким фазовым шумом

Линейка монолитных интегральных схем широкополосных усилителей на основе InGaP/GaAs ГБТ технологического процесса с проектными нормами 2 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 0,25-3,2 ГГц;
P_вых1дБ > 530 мВт;
К_у > 26 дБ.
Δf = 0,1-4,0 ГГц;
P_вых1дБ > 50 мВт;
К_у >13 -26 дБ.
Δf = 0,01-6 ГГц;
P_вых1дБ > 10 мВт;
К_у > 20 дБ.
U_п = 3,3-5 В;
I_п < 30-150 мА.

Широкополосные усилители до 11 ГГц

Линейка монолитных интегральных схем мощных широкополосных усилителей на основе InGaAs pHEMT технологического процесса с проектными нормами
0,5 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 0,01-4 ГГц / 0,01-6,1 ГГц / 0,01-11 ГГц
P_вых1дБ = 280 мВт / 100 мВт / 6 мВт
К_у= 14 дБ
I_п < 180 мА

GaAs МШУ мм-го диапазона

Малошумящий трёхкаскадных усилителей мм-го диапазона на основе GaAs pHEMT 0,15 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 29-38,5 ГГц
Р_1дБ = 10 мВт
К_у = 20 дБ (большой сигнал)
К_ш = 3,0 дБ
U_п@I_пок = +3,3В@55мА
U_см = -0,25В

Усилители с распределённым усилением

Линейка монолитных интегральных схем УРУ на основе InGaAs pHEMT технологического процесса с проектными нормами 0,15 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 0,05-8,8 ГГц / 0,05-10,5 ГГц
Р_вых > 65 мВт / >25 мВт
К_у > 16 дБ
К_ш < 3,4 дБ
I_п < 100 мА
U_п = 7,5 В

Буферные усилители ГУН

Линейка монолитных интегральных схем буферных усилителей ГУН на основе GaAs ГБТ технологического процесса с проектными нормами 2 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 1-4 ГГц / 4-8 ГГц / 8-15 ГГц
U_П = 5 В
I_П = 46 мА

GaAs коммутатор X-диапазона частот

Монолитная интегральная схема мощного двухпозиционного коммутатора Х-диапазона частот на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм технологического процесса с входной мощностью боле 5 Вт.

Основные характеристики:

∆f = 8,5-10,5 ГГц
Р_вх1дБ не менее 5 Вт
α_откл не менее 35 дБ
t_пер не более 20 нс

GaAs широкополосные коммутаторы

Ряд широкополосных дифференциальных двухпозиционных коммутаторов на основе GaAs pHEMT
0,5 мкм технологического процесса с диапазоном рабочих
частот до 20 ГГц. Включают в свой состав драйвера для управления транзисторами.

Основные характеристики:

∆f до 4 ГГц / до 8/ до 20 ГГц
Р_вх1дБ не менее 300/150/50 мВт
α_откл не менее 35 дБ
t_пер не более 15 нс

GaAs фазовращатели с цифровым управлением L-, S-, X- диапазонов частот

Ряд СВЧ МИС фазовращателей с 6-разрядным цифровым управлением на основе GaAs pHEMT
0,5 мкм технологического процесса. Включают в свой состав драйвера для управления транзисторами.

Основные характеристики:

∆f = 1,1-1,5 ГГц / 2,3-3,1 ГГц / 8,4-11,0 ГГц
φ_ош = ±5 градусов
α_прб = 5/ 7 /10 дБ
КСВ_вх/вых не более 2,0

GaAs аттенюатор с цифровым управлением до 10 ГГц

Монолитная интегральная схема аттенюатора
со встроенными драйверами управления на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 0,01-10,0 ГГц
a_пот < 7 дБ
Da = 31,5 дБ
N = 6 бит
P_1дБ = 30 дБм
U^п@I_пок =+5В@6мА
Встроенные драйверы управления (КМОП, TTL)
Положительное напряжение питания

GaAs аттенюатор с цифровым управлением до 5 ГГц

Монолитная интегральная схема аттенюатора
со встроенными драйверами управления на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм.

Основные характеристики:

Δf = DC-5,0 ГГц
a_пот < 4 дБ
Da=15,75 дБ
N = 6 бит
P_1дБ = 30 дБм
U_п@I_пок = ±5В@7мА
Встроенные драйверы управления (КМОП, TTL)

GaAs регулируемый СВЧ усилитель с цифровым управлением до 6 ГГц

Монолитная интегральная схема двухкаскадного широкополосного усилителя со встроенными драйверами управления цифровым аттенюатором на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 0,01-6,0 ГГц
К_у = 30 дБ
DК_у =31,5 дБ
P_вых = 19 дБм
U_п@I_пок =+5В@0,12А
Встроенные драйверы управления (КМОП, TTL)

GaAs аналоговый аттенюатор до 8 ГГц

Монолитная интегральная схема аналогового аттенюатора на основе GaAs pHEMT 0,5 мкм.

Основные характеристики:

Δf = DC-8,0 ГГц
a_пот < 3 дБ
Da = 31 дБ
P_{вх.макс} = 30 мВт

Ряд СВЧ ГУН в гибридном исполнении

Схема c LC-резонатором и октавной перестройкой в корпусе для монтажа на поверхность печатной платы, с диапазоном рабочих частот от 50 до 4100 МГц.

Основные характеристики:

Δf = 50-4100 МГц
Кп = 25-66%
P_вых = более 4 мВт
L(fm) = -115 дБ/Гц@1000 кГц
I_п = менее 35 мА
U_п= 4,75 В
U_упр= до 10 В

Ряд узкополосных СВЧ ГУН

В виде монолитного кристалла с навесными варикапами
на основе GaAs HBT 2 мкм технологического процесса.

Основные характеристики:

Δf = 5,9…12,5 ГГц
Кп = от 7% до 10%
P_вых = более 2 мВт
L(fm) = -77 дБ/Гц@10 кГц
L(fm) = -103 дБ/Гц@100 кГц
I_п = менее 200 мА
U_п= 4,75 В
U_упр= до 10,5 В

Ряд сверхширокополосных СВЧ ГУН

В виде монолитного кристалла с навесными варикапами на основе GaAs HBT 2 мкм технологического процесса.

Основные характеристики:

Δf = 3,0-12,5 ГГц
К_п = от 44% до 67%
P_вых = более 2 мВт
L(fm) = -60 дБ/Гц@10 кГц
L(fm) = -90 дБ/Гц@100 кГц
I_п = менее 150 мА
U_п= 4,75 В
U_упр= до 10,5 В

Ряд широкополосных СВЧ ГУН

В виде монолитного кристалла со встроенными усилителем и умножителем на основе GaAs HBT 2 мкм технологического процесса.

Основные характеристики:

Δf = 2,8…12,5 ГГц
К_п = от 11% до 20%
P_вых = более 2 мВт
L(fm) = -73 дБ/Гц@10 кГц
L(fm) = -100 дБ/Гц@100 кГц
I_п = менее 200 мА
U_п= 4,75 В
U_упр= до 10,5 В

GaAs СВЧ широкополосные активные умножители частоты на 2

Ряд МИС активных умножителей частоты на 2 на основе двухполупериодного выпрямителя с объединённым коллектором на основе GaAs 2 мкм HBT технологического процесса.

Основные характеристики:

∆f_вых = 0,02–5,8 / 4,8–10,1 ГГц
P_вх = 0-13 дБм
α_пр = 5,5 / 9,4 дБ
α_гар = 27 / 24,4 дБ
I_п = 1 (30) мА при U_п = 3,3 В

GaAs широкополосные пассивные умножители частоты на 2

Ряд МИС широкополосных пассивных умножителей частоты с коэффициентом умножения 2 на основе диодов Шоттки и трансформаторов выполненные по GaAs 0,5 мкм pHEMT технологического процесса.

Основные характеристики:

∆f_вых = 0,6-4,0 / 4,4-6,9/ 2,5-8,3 ГГц
P_вх = 17-21 дБм
α_пр не более 15 дБ
α_гар = не менее 30 дБ

GaAs широкополосные активные умножители частоты на 2

Ряд МИС широкополосных активных умножителей частоты на 2 и 4 на основе диодов Шоттки с трансформаторами и буферными усилителями по входу и выходу.

Основные характеристики:

∆f_вых = 2,7-7,4/ 8,5-14,7 ГГц
P_вх = 0 дБм
К_пр не менее 1 дБ
α_гар не менее 25 дБ

GaAs широкополосные активные умножители частоты на 4

Ряд МИС широкополосных активных умножителей частоты на 2 и 4 на основе диодов Шоттки с трансформаторами и буферными усилителями по входу и выходу.

Основные характеристики:

∆f_вых = 2,0-10,7 ГГц
P_вх = -10…-5 дБм
К_пр не менее 10 дБ
α_гар не менее 15 дБ

Пассивные полосно-пропускающие фильтры с аналоговым управлением

Линейка монолитных интегральных схем пассивных аналоговых ППФ на основе GaAs ГБТ технологического процесса с проектными нормами 2 мкм.

Основные характеристики:

Δf = 1-2 ГГц / 2-4 ГГц / 4-8 ГГц / 8-12ГГц
f_3dB = 10%
К_р = -7дБ / -5 дБ

Пассивные аттенюаторы

Линейка монолитных интегральных схем пассивных аттенюаторов на основе InGaP/GaAs ГБТ технологического процесса с проектными нормами 2 мкм.

Основные характеристики:

Δf = DC – 20 ГГц
P_IN = 0,5 Вт
A = 0 дБ / 1 дБ / 2 дБ / 3 дБ / 4 дБ / 5 дБ / 6 дБ /
7 дБ / 8 дБ / 9 дБ / 10 дБ / 12 дБ / 15 дБ / 20 дБ / 30 дБ

GaAs широкополосные пассивные двойные балансные смесители

Ряд МИС пассивных двойных балансных смесителей на основе диодов Шоттки в том числе со встроенным усилителем сигнала промежуточной частоты.

Основные характеристики:

∆f_рч = 1,0-5,5 / 6-12 / 6-18 ГГц
∆f_пч = 0,01-3,0 / 0,01-5,0 / 0,01-10,0 ГГц
К_пр не менее 11 дБ / α_пр не более 8 дБ
I_пот не более 100 мА

GaAs широкополосный активный двойной балансный смеситель

МИС широкополосного активного двойного балансного смесителя на основе ячейки Гилберта.

Основные характеристики:

∆f_рч = 0,01-5,0 ГГц
∆f_пч = 0,01-1,3 ГГц
К_пр не менее минус 1 дБ
I_пот не более 100 мА

Используемые технологические процессы

Общий перечень схем и IP-блоков на основе GaAs

Защитные устройства до 50 ГГц и входной мощностью до 5Вт
Цифровые аттенюаторы до 60 ГГц
Усилители с распределённым усилением до 50 ГГц
Малошумящие усилители до 90 ГГц
Октавные полосовые фильтры, управляемые аналоговым способом до 40 ГГц
Смесители частот до 100 ГГц
Пассивные аттенюаторы до 100 ГГц и входной мощностью
до 0,5 Вт
Умножители частоты до 100 ГГц
Регулируемые усилители с цифровым управлением до 50 ГГц
Коммутаторы 2 в 1 и 4 в 1 до 80 ГГц
Регулируемые усилители с цифровым управлением до 50 ГГц
Фазовращатели с аналоговым управлением до 60 ГГц
Регулируемые усилители с аналоговым управлением
до 30 ГГц
Фазовращатели с цифровым управлением 7 бит до 32 ГГц

info@icvao.ru
+7 (495) 149-09-90