Используемые технологические процессы
InGaP/GaAs ГБТ
  • ГБТ: fT = 36 ГГц, UКЭ0 = 14 В
  • Интегральные варикапы C(0)/C(5 В) = 4, L = 2 мкм
  • ГБТ: fT = 65 ГГц, UКЭ0 = 9 В, L = 1 мкм
InGaAs/GaAs HEMT
  • pHEMT: fT = 100 ГГц, UЗИ = 9 В, L = 0,15 мкм
  • pHEMT: fT = 65 ГГц, UЗИ = 14 В, L = 0,25 мкм
  • DpHEMT: fT = 40 ГГц, UЗИ = 13 В
  • EpHEMT fT = 33 ГГц, UЗИ = 18 В, L = 0,5 мкм
InGaP/GaAs BiHEMT
  • ГБТ: fT = 31 ГГц, UКЭ0 = 15 В
  • DpHEMT: fT = 40 ГГц, UЗИ = 13 В
  • EpHEMT: fT = 33 ГГц, UЗИ = 18 В, L > 0,5 мкм
Широкополосные усилители мощности до 30 ГГц и выходной мощностью до 0,25 Вт
Цифровые аттенюаторы до 60 ГГц
Усилители с распределённым усилением до 50 ГГц и выходной мощностью
до 0,5 Вт
Малошумящие усилители до 90 ГГц
Октавные полосовые фильтры, управляемые аналоговым способом до 40 ГГц
Смесители частот до 100 ГГц
Пассивные аттенюаторы до 100 ГГц и входной мощностью до 0,5 Вт
Умножители частоты до 100 ГГц
Регулируемые усилители с цифровым управлением до 50 ГГц
Коммутаторы 2 в 1 и 4 в 1 до 80 ГГц
Регулируемые усилители с цифровым управлением до 50 ГГц
Фазовращатели с аналоговым управлением до 60 ГГц
Регулируемые усилители с аналоговым управлением до 30 ГГц
Фазовращатели с цифровым управлением 7 бит до 32 ГГц
Защитные устройства до 50 ГГц и входной мощностью до 5Вт
Усилители мощности 0,2…80 ГГц и выходной мощностью до 0,1…10 Вт

info@icvao.ru
+7 (495) 149-09-90

© Авторские права защищены 2021
Напишите Ваш запрос
Наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее время
Email
Компания
Ваше обращение